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職 種
指定する

    電気・電子・ソフト・半導体エンジニア

    機械エンジニア

    化学・素材エンジニア

    営業/SCM/購買 等

    勤務地
    指定する

      北海道・東北

      関東

      北陸・甲信越

      東海

      関西

      中国・四国

      九州・沖縄

      海外

      希望年収
      万円
      企 業
      指定する

        従業員数

        名以上

        上場

        日系/外資

        業 種
        指定する
          フリーワード検索

          更新日2018年08月02日

          世界トップクラスのシェアを誇る米系自動車部品メーカー

          年収

          400万円~550万円

          勤務地

          神奈川県横浜市

          職務内容

          ■OEMセールスとして以下の業務を担当して頂きます。
          <具体的には>
          ・顧客開発部門に対する新規営業、ニーズ、仕様ヒアリング
          ・海外工場とのやりとり
          ・値段交渉... ≫ つづきを見る

          年収

          900万円~1300万円

          勤務地

          三重県四日市市山之一色町800番地

          職務内容

          ■最先端メモリデバイス開発における下記いずれかの工程を担当していただきます。
          【具体的には】
          ・ドライエッチング、ウェットエッチング(洗浄)、CMP(平坦化)、... ≫ つづきを見る

          年収

          900万円~1300万円

          勤務地

          三重県四日市市山之一色町800番地

          職務内容

          ■デバイスエンジニアとして次世代NANDフラッシュメモリーおよび次世代不揮発性メモリーデバイス開発業務に携わっていただきます。
          【具体的には】
          ・次世代NAND... ≫ つづきを見る

          更新日2018年08月01日

          サンディスク

          年収

          800万円~1300万円

          勤務地

          神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1

          職務内容

          ■3D-NANDの製品・技術開発を担当して頂きます。
          【具体的には】
          ・主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセル、およびそれを駆動する周辺回路やトラン... ≫ つづきを見る

          年収

          700万円~1300万円

          勤務地

          三重県四日市市山之一色町800番地

          職務内容

          ■QA・QC(品質保証・品質管理)エンジニア業務を担当していただきます。
          【具体的には】
          メモリデバイスの品質保証・コスト低減・生産性向上のため、製造工程で発生... ≫ つづきを見る

          年収

          600万円~1100万円

          勤務地

          三重県四日市市山之一色町800番地

          職務内容

          ■最先端メモリデバイス開発における下記いずれかの工程を担当していただきます。
          【具体的には】
          ドライエッチング、ウェットエッチング(洗浄)、CMP(平坦化)、P... ≫ つづきを見る

          年収

          600万円~1100万円

          勤務地

          神奈川県横浜市横浜市栄区笠間2-5-1

          職務内容

          ■テストエンジニアとして業務を担当していただきます。
          【具体的には】
          ・メモリテスタでのテストプログラムの開発、設計回路のデバックやデバイスパフォーマンスの解析... ≫ つづきを見る

          更新日2018年08月01日

          サンディスク

          年収

          470万円~1000万円

          勤務地

          神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1

          職務内容

          ■3D-NANDの製品・技術開発を担当して頂きます。
          【具体的には】
          ・主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセル、およびそれを駆動する周辺回路やトラン... ≫ つづきを見る

          年収

          600万円~1000万円

          勤務地

          三重県四日市市山之一色町800番地

          職務内容

          ■イールドマネジメントエンジニアとして、データ解析業務をメインに担当して頂きます。
          【具体的には】
          製品開発から量産立ち上げ時の製品歩留り改善の推進(製品テスト... ≫ つづきを見る

          年収

          470万円~900万円

          勤務地

          三重県四日市市山之一色町800番地

          職務内容

          ■デバイスエンジニアとして次世代NANDフラッシュメモリー、及び次世代不揮発性メモリーデバイス開発業務に携わっていただきます
          <具体的な業務>
          ・次世代NAND... ≫ つづきを見る

          年収

          470万円~900万円

          勤務地

          三重県四日市市山之一色町800番地

          職務内容

          ■メモリテスタでのテスト・プログラムの開発、設計回路のデバックやデバイスパフォーマンスの解析、歩留まり改善、量産テスト工程の構築およびスループットの向上を担当し... ≫ つづきを見る

          年収

          470万円~900万円

          勤務地

          神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1

          職務内容

          ■同社のデザインエンジニアとして、以下の業務を担当して頂きます。
          【具体的には】
          ・NAND型フラッシュメモリの開発、及び、回路設計(特にロジック回路の設計及び... ≫ つづきを見る

          年収

          470万円~900万円

          勤務地

          神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1

          職務内容

          ■NAND型フラッシュメモリの主にTEGレイアウト設計業務に携わって頂きます。
          【具体的には】
          ・米国又は日本のデバイス設計チーム、米国のレイアウトチームと情報... ≫ つづきを見る

          年収

          470万円~900万円

          勤務地

          三重県四日市市山之一色町800番地

          職務内容

          ■デバイスエンジニアとして次世代NANDフラッシュメモリー、及び次世代不揮発性メモリーデバイス開発業務に携わっていただきます
          <具体的な業務>
          ・次世代NAND... ≫ つづきを見る

          年収

          470万円~900万円

          勤務地

          三重県四日市市山之一色町800番地

          職務内容

          ■最先端メモリデバイス開発における下記いずれかの工程を担当していただきます。
          【具体的には】
          ドライエッチング、ウェットエッチング(洗浄)、CMP(平坦化)、P... ≫ つづきを見る

          年収

          470万円~900万円

          勤務地

          三重県四日市市山之一色町800番地

          職務内容

          ■インテグレーションエンジニアは、メモリデバイスを構成するプロセスモジュールの内、特定のモジュールの担当となり、そのモジュールを製造するためのプロセス構築、製造... ≫ つづきを見る

          年収

          470万円~900万円

          勤務地

          三重県四日市市山之一色町800番地

          職務内容

          ■プロダクトエンジニアは、同社の半導体メモリ製品担当として、その製品の製造プロセスフローを管理し、製品の立ち上げ業務(プロセスフロー構築、スケジュール管理)と品... ≫ つづきを見る

          更新日2018年08月01日

          サンディスク

          年収

          470万円~800万円

          勤務地

          神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1

          職務内容

          ■3D-NANDの製品・技術開発を担当して頂きます。
          【具体的には】
          ・主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセルおよび、それを駆動する周辺回路やトラン... ≫ つづきを見る

          年収

          470万円~750万円

          勤務地

          神奈川県横浜市横浜市栄区笠間2-5-1

          職務内容

          ■テストエンジニアとして業務を担当していただきます。
          【具体的には】
          ・メモリテスタでのテストプログラムの開発、設計回路のデバックやデバイスパフォーマンスの解析... ≫ つづきを見る

          更新日2018年08月01日

          愛三工業

          年収

          400万円~650万円

          勤務地

          愛知県大府市共和町1-1-1

          職務内容

          ■同社製品の生産技術を担当して頂きます。
          ※経験により、担当製品が決まります
          吸気系、排気系、エバポ系、ガス燃料系製品など
          【具体的には】
          ・鋳造ラインの設計、... ≫ つづきを見る

          あなたの指定した条件
          職 種
          指定する

            電気・電子・ソフト・半導体エンジニア

            機械エンジニア

            化学・素材エンジニア

            営業/SCM/購買 等

            勤務地
            指定する

              北海道・東北

              関東

              北陸・甲信越

              東海

              関西

              中国・四国

              九州・沖縄

              海外

              希望年収
              万円
              企 業
              指定する

                従業員数

                名以上

                上場

                日系/外資

                業 種
                指定する
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